Каринтия: Первые пластины из нитрида галлия на Infineon

Опубликовано: 11.09.2024

Сегодня компания Infineon Austria объявила, что ей удалось разработать первую в мире технологию изготовления 300-миллиметровых пластин нитрида галлия для силовой электроники. Из пластин большего размера можно получить в 2,3 раза больше чипов. Нитрид галлия является альтернативой кремнию.

Силовые полупроводники на основе нитрида галлия используются в промышленности, автомобилестроении и быту, вычислительной технике и средствах связи. Примеры включают источники питания для систем искусственного интеллекта, солнечные инверторы, зарядные устройства и адаптеры, а также системы управления двигателями. Пластины были разработаны в Филлахе.

Infineon объявила, что продолжит расширять мощности GaN в соответствии с потребностями рынка. Производство 300-миллиметрового GaN должно позволить Infineon сформировать растущий рынок GaN, который, как ожидается, к концу десятилетия достигнет нескольких миллиардов долларов США.

Ключевым преимуществом 300-миллиметровой технологии GaN является то, что она может использовать существующие производственные мощности по производству 300-миллиметрового кремния, поскольку нитрид галлия и кремний очень похожи по своим производственным процессам. Существующие 300-миллиметровые линии по производству кремния Infineon идеально подходят для внедрения надежной технологии GaN. Стоимость соответствует стоимости сопоставимых продуктов из кремния и GaN, сообщают австрийские государственные СМИ.

В помощь жителям и гостям Австрии!

Новости, Фирмы, Форум, Видео, Контакт